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材料科學與化學工程學院學術報告——Growth of high-quality Si ingots for solar cells using the dendritic cast method and the noncontact crucible method

發布日期:2018-11-05 作者:材料科學與化學工程學院

 報告時間:2018116日下午1:30

報告地點:寧波大學材化學院210會議室

報告人:Kazuo Nakajima

報告人簡介:

Kazuo Nakajima教授是國際知名學者,在半導體材料和應用領域取得了國際公認的成就。Kazuo Nakajima教授在30多年的研究中發表了350多篇論文,引用超過了5千多次;完成了近20部著作;擁有近35個授權專利。由于Kazuo Nakajima教授對半導體材料技術的發展和貢獻,2011年獲得了第五屆亞洲晶體生長與晶體技術大會的杰出工程師獎;2014年又獲得了日本晶體生長協會的貢獻獎。Kazuo Nakajima教授研究的具體內容包括半導體晶體材料、太陽能電池、半導體相圖、VISiGe)晶體的塑性變形及在晶體透鏡等,這些研究對半導體晶體的生長和應用產生了深遠的影響。Kazuo Nakajima教授開發了樹枝狀鑄造法,獲得了高質量的多晶硅和高效率的太陽能電池(創造了當時大型太陽能電池的世界最高紀錄)。Kazuo Nakajima教授一直活躍在學術的前沿,繼樹枝狀鑄造法之后又開發了非接觸坩堝(NOC)法來制備高質量的硅大單晶錠,并首次獲得了具有與直拉法生長的單晶硅太陽能電池同等轉換效率的太陽能電池。

2017年,Kazuo Nakajima教授受邀申請成為了浙江大學包玉剛講座教授。本次報告,Kazuo Nakajima教授將詳細介紹非接觸坩堝(NOC)法來制備高質量的硅大單晶錠。

 

報告摘要:

1. Motivation to develop the dendritic cast method

2. Growth and behavior of dendrite crystals using the in-situ observation system

3. Ingot growth controlled by dendrite crystals grown along the bottom of a crucible

4. Control of arrangement of dendrite crystals

5. Generation of dislocations

6. Quality and solar-cell performance of Si ingots using the dendritic cast method

7. Concept of the HP cast method

8. Concept of the mono-like cast method

9. Trigger for the development of the NOC method

10. Growth of Si single ingots using the NOC method

11. Dislocations and O concentrations in Si single ingots grown by the NOC method

12.Performance of p-type solar cells prepared by the NOC method

13. Concept to establish the low-temperature region in a Si melt

 

歡迎廣大師生踴躍參加!

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